BSH207 |
RFQ for BSH207 |
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| Technical/Catalog Information | BSH207,135 |
| Vendor | NXP Semiconductors |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.52A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 500pF @ 9.6V |
| Power - Max | 417mW |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
| Package / Case | 6-TSOP |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drawing Number | 568; SOT457; ; 6 |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | BSH207,135 BSH207,135 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BSH207 | - | SOT23-6 | - |
logic level, field-effect power transistor. This device has low threshold voltage and extremely fast switching making it ideal for battery powered applications and high speed digital interfacing.
The BSH207 is supplied in the SOT457 subminiature surface mounting package.
Features |
| • Very low threshold voltage • Fast switching• Logic level compatible • Subminiature surface mount package |
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SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN. |
MAX. |
UNIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDS |
Drain-source voltage |
-12 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDGR |
Drain-gate voltage |
RGS = 20 k |
-12 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VGS |
Gate-source voltage |
± 8 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ID |
Drain current (DC) |
Ta = 25 °C |
-0.75 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Ta = 100 °C |
-0.47 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IDM |
Drain current (pulse peak value) |
Ta = 25 °C |
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